贴片电容X5R，X7R，Y5V，COG

NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同。在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同，随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。

一 NPO电容器

NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一。在温度从-55℃到+125℃时容量变化为0±30ppm/℃，电容量随频率的变化小于±0.3ΔC。NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%，

相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的。其典型的容量相对使用寿命的变化小于±0.1%。NPO电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同，大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好。下表给出了NPO电容器可选取的容量范围。

NPO电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容，以及高频电路中的耦合电容。

二 X7R电容器

X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。当温度在-55℃到+125℃时其容量变化为15%，需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。

X7R电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的，它也随时间的变化而变化，大约每10年变化1%ΔC，表现为10年变化了约5%。

X7R电容器主要应用于要求不高的工业应用，而且当电压变化时其容量变化是可以接受的条件下。它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比较大。下表给出了X7R电容器可选取的容量范围。

三 Z5U电容器

Z5U电容器称为”通用”陶瓷单片电容器。这里首先需要考虑的是使用温度范围，对于Z5U电容器主要的是它的小尺寸和低成本。对于上述三种陶瓷 单片电容起来说在相同的体积下Z5U电容器有最大的电容量。但它的电容量受环境和工作条件影响较大，它的老化率最大可达每10年下降5%。

尽管它的容量不稳定，由于它具有小体积、等效串联电感（ESL）和等效串联电阻（ESR）低、良好的频率响应，使其具有广泛的应用范围。尤其是在退耦电路的应用中。下表给出了Z5U电容器的取值范围。

Z5U电容器的其他技术指标如下:工作温度范围 +10℃ — +85℃ 温度特性 +22% —- -56% 介质损耗 最大 4%

四 Y5V电容器

Y5V电容器是一种有一定温度限制的通用电容器，在-30℃到85℃范围内其容量变化可达+22%到-82%。

Y5V的高介电常数允许在较小的物理尺寸下制造出高达4.7μF电容器。

Y5V电容器的取值范围如下表所示

Y5V电容器的其他技术指标如下:工作温度范围 -30℃ — +85℃ 温度特性 +22% —- -82% 介质损耗 最大 5%

贴片电容器命名方法可到AVX网站上找到。

NPO,X7R及Y5V电容的特性及主要用途

NPO的特性及主要用途

属1类陶瓷介质，电气性能稳定，基本上不随时间、温度、电压变化，适用于高可靠、高稳定的高额、特高频场合。

特性：

电容范围 1pF～0.1uF (1±0.2V rms 1MHz)

环境温度： -55℃～+125℃ 组别：CG

温度特性： 0±30ppm/℃

损耗角正切值： 15×10-4

绝缘电阻： ≥10GΩ

抗电强度： 2.5倍额定电压 5秒 浪涌电流：≤50毫安

X7R的特性及主要用途

属2类陶瓷介质，电气性能较稳定，随时间、温度、电压的变化，其特性变化不明显，适用于要求较高的耦合、旁路、源波电路以及10兆周以下的频率场合。

特性：

电容范围 300pF～3.3uF (1.0±0.2V rms 1KHz)

环境温度： -55℃～+125℃ 组别：2X1

温度特性： ±15%

损耗角正切值： 100Volts: 2.5% max

50Volts: 2.5% max

25Volts: 3.0% max

16Volts: 3.5% max

10Volts: 5.0% max

绝缘电阻： ≥4GΩ或 ≥100S/C (单位：MΩ)

抗电强度： 2.5倍额定电压 5秒 浪涌电流：≤50毫安

Y5V的特性及主要用途

属 2类陶瓷介质，具有很高的介电系数，能较容易做到小体积，大容量，其容量随温度变化比较明显，但成本较低。广泛应用于对容量，损耗要求不高的场合。

特性：

电容范围 1000pF～22uF (0.3V 1KHz)

环境温度： -30℃～+85℃

温度特性： ±22%～-82%

损耗角正切值： 50Volts: 3.5%

25Volts: 5.0%

16Volts: 7.0%

绝缘电阻： ≥4GΩ或 ≥100S/C (单位：MΩ)

抗电强度： 2.5倍额定电压 5秒 浪涌电流：≤50毫安