陶瓷电容器大致可以分为低电容率系列（种类I）和高电容率系列（II）两类，根据温度特性还可以进一步细分。温度特性由EIA规格与JIS规格等制定。这里将其中一列整理成下表。

根据电介质种类的类型和温度特性

一、低电容率系列（种类I）

此类电容的电介质为氧化钛系列等。下面是此类电容的符号与特性例：

长处：由温度引起的容量变化小。

短处：由于电容率低，不具有太大容量。

应用：此类电容一般应用于温度补偿型高频电路、滤波器电路。

注：NPO是美国军用标准（MIL）中的说法，其实应该是NP0（零），但一般大家习惯写成NPO（欧）。这是Negative-Positive-Zero的简写，用来表示的温度特性。说明NPO的电容温度特性很好，不随正负温度变化而出现容值漂移。C0G是I类陶瓷中温度稳定性最好的一种，温度特性近似为0，满足“负-正-零”的含义。所以C0G其实和NPO是一样的，只不过是两个标准的两种表示方法（当然，容值更小、精度略差一点的C0K、C0J等也是NPO电容）。类似的，U2J对应于MIL标准中的组别代码为N750。NPO 电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同，大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好。

二、高电容率系列（种类II）

此类电容的电介质为钛酸钡系列，下面是此类电容的符号与特性例：

长处：由于电容率高，能够具有大容量。

短处：由温度引起的电容变化大。

应用：此类电容一般应用于平滑电路、偶尔电路和去耦电路三种。

CH型电容器的静电容量一点都没有变化，具有F特性的电容器的静电容量随温度变化而降低。其关键是按照温度特性使用不同的陶瓷电容器。